一、任务目标
1、掌握用普通数字万用表简单测试常用元器件好坏的方法
2、掌握用色标法读电阻及误差等级
3、掌握常用元器件的符号及型号的命名方法
二、任务预习
1、常用半导体器件的结构、性能及单向导电特性
2、常用半导体器件的型号命名法及简单的测试方法
3、电阻器和电位器的型号命名法及简单的测试方法
4、电容器的型号命名法及简单的测试方法
三、实训设备
序 号 | 型 号 | 名 称 | 数 量 |
1 | LDCS01 | 电源控制屏 | 1 套 |
2 | LDCS02 | 实训桌 | |
3 | VC890D | 数字万用表(便携式) | 1 台 |
4 | 元器件测试箱 | 1 件 |
表2-2-1
四、实训过程
常用电子元器件的识别和简单测试
电子元器件的种类繁多,常用的有电阻器、电容器、电位器、二极管、三极管等,下面将对其测试方法作一介绍。
1、电阻器的识别和测试
(1)电阻的分类
电阻器按结构可分为固定电阻、可变电阻和敏感电阻器;按材料和使用性质可分为膜式电阻、线绕式电阻、热敏电阻、压敏电阻;按特性可分为线性电阻和非线性电阻等。
(2)电阻器的主要技术指标
1)额定功率
电阻器在电路总消耗的功率有一定限制,超过了就可能损坏。电阻器在电路中长时间安全工作所允许消耗的最大功率,称为电阻器的额定功率。1W或大于1W的电阻器都用代表额定功率的阿拉伯数字直接标注在电阻器符号上;0.5W,0.25W和0.125W的电阻器分别用横线和斜线表示;更小的电阻器则不作标注。
2)标称阻值和允许偏差
标称阻值是电阻器的设计阻值,实际阻值往往偏差标称阻值,允许偏差给出了限制范围。
电阻器的标称阻值和允许偏差一般都标在电阻器上,标志方法有直标法、字母符号法和色标法3种。
a)直标法:标称阻值用阿拉伯数字和单位符号直接标志在电阻器表面,允许偏差用百分数直接表示。
b)字母符号法:它用阿拉伯数字和拉丁字母组合表示标称阻值和允许偏差。拉丁字 母R、K、M分别代表阻值单位,具体对应关系是:R-欧姆(Ω)、K-千欧(kΩ)、M-兆欧(MΩ)。字母前面的数字代表阻值的整数部分,字母后面的数字代表阻值的小数部分。例如,27R表示27Ω,6K8表示6.8kΩ。表示允许偏差的字母有J、K、M等,对应关系为:J-±5%、K-±10%、M-±20%。
c)色标法:小功率电阻器因表面积小,无法直接标注数字和字母,往往在电阻器表面涂上3~5道不同颜色的色环,其中较宽的一环是最后一环。五环色标的含义图2-2-2所示。
图2-2-2 五环色标的含义
四环色标是在五环基础上去除第三环;三环色标是在五环基础上去除第三环和第五环,这时允许偏差约定为±20%。色标的含义见表2-2-3
色别 | 第一、二、三环 | 第四环 | 第五环 |
有效数字 | 应乘倍数 | 允许偏差(%) | |
银 | - | 10-2 | ±10 |
金 | - | 10-1 | ±5 |
黑 | 0 | 100 | - |
棕 | 1 | 101 | ±1 |
红 | 2 | 102 | ±2 |
橙 | 3 | 103 | - |
黄 | 4 | 104 | - |
绿 | 5 | 105 | ±0.5 |
蓝 | 6 | 106 | ±0.25 |
紫 | 7 | 107 | ±0.1 |
灰 | 8 | 108 | - |
白 | 9 | 109 | - |
图2-2-3色标的含义
(3)电阻器的型号命名方法:型号命名方法如图2-2-4所示。
图2-2-4 电阻器的型号命名方法
第一部分 | 第二部分 | 第三部分 | 第四部分 | |||
用字母表示主称 | 用字母表示材料 | 用数字或字母表示分类 | ||||
符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | |
R | 电阻器 | T | 碳膜 | 1 | 普通 | |
W | 电位器 | P | 硼碳膜 | 2 | 普通 | |
U | 硅碳膜 | 3 | 超高频 | |||
H | 合成膜 | 4 | 高阻 | |||
I | 玻璃釉膜 | 5 | 高温 | |||
J | 金属膜 | 7 | 精密 | |||
Y | 氧化膜 | 8 |
高压(电阻)、 特殊(电位器) |
|||
S | 有机实心 | 9 | 特殊 | |||
N | 无机实心 | G | 高功率 | |||
X | 线绕 | T | 可调 | |||
C | 沉积膜 | X | 小型 | |||
G | 光敏 | L | 测量用 | |||
W | 微调 | |||||
D | 多圈 |
表2-2-5电阻器和电位器的型号命名方法
(4)电阻器的测试和好坏判别
1)阻值测量。选择万用表欧姆档合适的量程。测电阻时手指不要触碰电阻器,以免影响测量的准确性。
2)电阻器好坏的判别。测得阻值为无穷大时,表明电阻器已烧毁或引线断开。数值来回跳动表明内部接触不良。实测阻值超过允许偏差范围表明该电阻器质量不好。
2、电容器的识别和测试
(1)电容器的分类。
电容器一般分为固定电容器、可变电容器、微调电容器3种。
1)固定电容器。固定电容器按介质材料不同可分为云母电容器、纸介电容器、陶瓷电容器、有机薄膜电容器、电解电容器等。
2)可变电容器。有空气介质和固体介质等。
3)微调电容器。电容器的变化范围比较小,常以陶瓷、云母及空气作介质。
(2)电容器的主要技术指标。
标称容量和允许偏差。一般电容器的标称容量系列与电阻器采用的系列相同。电容器的标称容量和允许偏差一般标在电容器上,标志方法有直标法、数码表示法和色码表示法3种。
直标法:电容量单位通常有微法(μF,10-6F)、纳法(nF,10-9F)和皮法(pF,10-12F)。例如,6μ8表示标称容量为6.8μF,51p表示标称容量为51pF。
数码表示法:一般用三位数字来表示容量,单位为pF。前两位数字为有效数字,第三位数字表示位率,该数字n=0~8时,位率为10n;该数字n=9时,位率为10n-10=10-1。三位数字后的字母表示允许偏差,常用的有J、K、M,分别表示±5%、±10%、±20%。例如,304J表示0.3μF±5%。
色码表示法:类似于电阻器的色标法。色码一般有三位,前两个代表有效数字,第三个代表位率,单位表示pF。
(3)电容器的额定直流工作电压,又是指电容器在电路中能长时间安全工作所能承受的最大直流电压,又称耐压。工作在交流状态时,加在电容器两端的交流峰值电压不得超过额定直流工作电压。电容器的耐压根据需要从几伏到几万伏不等。
(4)电容器的型号命名方法。电容器的型号一般由4部分组成,如图2-2-6所示,具体含义如表2-2-7和表2-2-8所示。
图2-2-6 电容器的型号命名方法
表2-2-7 电容器的介质材料字母符号及含义
字母符号 | 电容器介质材料的含义 | 字母符号 | 电容器介质材料的含义 |
A | 钽电解 | L | 聚酯等极性有机薄膜 |
B | 聚苯乙烯等非极性有机薄膜 | N | 铌电解 |
C | 高频陶瓷 | O | 玻璃膜 |
D | 铝电解 | Q | 漆膜 |
E | 其他材料电解 | T | 低频陶瓷 |
G | 合金电解 | V | 云母纸 |
H | 纸膜复合 | Y | 云母 |
I | 玻璃釉 | Z | 纸 |
J | 金属化纸 |
表2-2-8 电容器的分类数字符号及含义
数字 | 瓷介电容器 | 云母电容器 | 有机电容机 | 电解电容器 |
1 | 圆形 | 非密封 | 非密封 | 箔式 |
2 | 管形 | 非密封 | 非密封 | 箔式 |
3 | 叠片 | 密封 | 密封 | 烧结粉 非固体 |
4 | 独石 | 密封 | 密封 | 烧结粉 固体 |
5 | 穿心 | 穿心 | ||
6 | 支柱等 | |||
7 | 无极性 | |||
8 | 高压 | 高压 | 高压 | |
9 | 特殊 | 特殊 |
(5)电容器的测试和好坏判别
一般用万用表的欧姆档判别电容器的好坏、性能、容量和极性(电解电容器)。要合理选用量程,容量越大,应选量程越小;容量越小,应选量程越大。容量小于5000pF的电容器不能用万用表测试(仅可判别是否击穿短路)。
1)固定电容器性能好坏的判别
将万用表的两表笔分别接电容器的两极,表针先正方向偏摆,然后逐渐向反方向复原,退回到R=∞处。如不能复原,稳定时的读数即为电容器的漏电电阻。此阻值越大,说明绝缘性越好。在测试时如表针无偏摆现象,说明电容器内部断路;如表针正摆后不返回,且阻值很小或为零,说明电容器内部短路。
2)电容器容量的判断
用表笔接触电容器的两级,表针先正摆,然后逐渐复原。对调红、黑表笔,表针又正摆,偏转幅度比前次大,然后又逐渐复原。电容量越大,表针偏摆幅度越大,复原速度越慢。据此可粗略判断电容量的大小。
3)电解电容器极性的判断
电解电容器正向连接时漏电小,反向连接时漏电大。对调表笔,分别测试电解电容器正、反向漏电电阻,取测得电阻值偏大的一次,黑表笔所接的为电解电容器的正极。
3、半导体的识别和测试
所谓半导体是指 导电能力介于导体和半导体之间的物质。常用作半导体物质有硅、锗、氧化钾等。
(1)二极管的主要参数
最大整流电流IFM。它是二极管长时间使用时允许通过的最大正向平均电流,也称额定工作电流。
最大反向工作电压URM。它是保证二极管不被击穿的允许加上的最高反向电压,也称额定工作电压。
最大反向电流IRM。它是最大反向工作电压下的反向电流。
(2)三极管的主要参数
电流放大系数:共发射极电路交流电流放大系数β,它是在三极管接成共射极电路时,在规定的工作条件下,集电极电流变化量与基极电流变化量的比值。共发射极电路直流电流放大系数hFE,它是在三极管接成共发射极电路时,在规定的工作条件下,集电极电流与基极电流的比值。
极间反向电流:集电极-基极反向饱和电流ICBO。它是当发射极开路,在集电极和基极之间加一规定的反向偏置电压时的反向电流。 集电极-发射极反向饱和电流ICEO。它是当基极开路,在集电极-发射极之间加一规定的反向电压时的反向电流,又叫穿透电流。
极限参数:集电极最大电流ICM,是指β值下降到正常值的2/3时的集电极电流。
集电极-发射极反向击穿电压UCEO,它是基极断开时,加在集电极和发射极之间最大的允许工作电压。
集电极最大允许耗散功率PCM,它是保证三极管不损坏而允许集电极上损耗功率的最大值。
(3)半导体器件的命名方法
半导体器件的型号由五部分组成:第一部分用数字表示半导体管的电极数;第二部分用拉丁字母表示半导体管的材料和极性;第三部分用拉丁字母表示半导体管的类别;第四部分用拉丁字母表示序号,第五部分用拉丁字母表示区别代号。半导体器件型号前三部分的含义见表7,半导体器件型号识别示例如图2-2-9所示。
a) b)
图2-2-9 半导体器件识别实例 a)二极管 b)三极管
表2-2-10 二极管和三极管的分类数字符号及含义
第一部分 | 第二部分 | 第三部分 | |||
用数字表示 器件的电极数目 |
用拉丁字母表示 器件的材料和极性 |
用拉丁字母 表示器件类型 |
|||
数字 | 意义 | 符号 | 意义 | 称号 | 意义 |
2 | 二极管 | A | N型锗材料 | P | 普通管 |
3 | 三极管 | B | P型锗材料 | W | 稳压管 |
C | N型硅材料 | V | 微波管 | ||
D | P型硅材料 | Z | 整流管 | ||
A | PNP型锗材料 | S | 隧道管 | ||
B | NPN型锗材料 | N | 阻尼管 | ||
C | PNP型硅材料 | U | 光电器件 | ||
D | NPN型硅材料 | K | 开关管 | ||
X | 低频小功率管 | ||||
G | 高频小功率管 | ||||
D | 低频大功率管 | ||||
A | 高频大功率管 | ||||
T | 闸流管 | ||||
Y | 体效应管 | ||||
J | 阶跃恢复管 | ||||
L | 整流堆 | ||||
C | 参量管 | ||||
CS | 场效应管 | ||||
BT | 半导体特殊器件 | ||||
FH | 复合管 | ||||
GJ | 激光器件 |
表2-2-10
(4)半导体器件的测试和判断
1)二极管的测试和判别
用万用表的二极管档位进行测试。如果仪表的两次测试读数均显示为“1”,说明被测二极管已损坏或不是二极管。如果两次读数又一次显示为.2××~.7××(×表示任意数字),另一次显示为“1”时,说明二极管是好的。在两次测试中,有数字显示的那次测量,数字万用表的红表笔所接的一端为阳极,黑表笔所接的一端为阴极。
2)三极管的测试和判别
可根据管脚排列从外观上判别管脚。常见二极管的管脚排列如图2-2-11所示。
a)判断管型和基极
用万用表的二极管档来测试。用红表笔按一个极,黑表笔依次碰接另外两个极,如果均导通,则为PNP型三极管,红表笔所接的电极为基极。用黑表笔固定一个极,红表笔依次碰接另外两个极,如果导通,则为NPN型三极管,黑表笔所接的极为基极。
b)判断集电极和发射极
在已知的基极的前提下,假定另外两管脚一个为集电极c,另一个为发射极e。对于NPN型管,将黑表笔接集电极c,红表笔接发射极e,然后用大拇指和食指捏住基极b和集电极c(两极不能相碰,相当于在两极间接上一个电阻),观察万用表并记下数值。交换连接集电极和发射极的两表笔,重复上述过程。比较两次测试结果,数值较大的一次对管脚的假设是正确的,即黑表笔所接的是集电极,另一极即为发射极。对于PNP型管,只需将红表笔接假设的集电极,测试过程同上。数值较大的一次,红表笔所接的是集电极,另一极为发射极。
3)晶闸管的测试和好坏判别
首先将晶闸管(MCR8SN)接入主电路,主电路直流0~50V电源用屏上直流电枢电源,控制回路电源用0~30V直流可调稳压电源,把30V可调稳压电源电位器沿逆时针旋到底, 电位器选元器件测试箱上的1K\2W的电位器;电流表选用控制屏上20mA~2000mA的直流档,直流电压表选用100V的电压档
按图2-2-12接线,按下控制屏上的“启动”按钮,然后缓慢调节电枢电源电压电压为50V,同时监视电压表的读数,调节0~30V直流可调稳压电源电位器,电压调到1V,监视电压表、电流表的读数,当电压表指示接近零(表示管子完全导通),停止调节,然后关断1V控制电压。阳极和阴极之间依然导通。只有将晶闸管的阳极和阴极之间的电压调到不能维持晶闸管导通,(也就是减小电枢电源)管子才会关断,说明此时的管子是好的。
图2-2-11 三极管外形识别管脚
4)绝缘栅型场效应管的测试和好坏判别
首先将绝缘栅型场效应管(2KS956)接入主电路,主电路直流0~50V电源用屏上直流电枢电源,控制回路电源用0~30V直流可调稳压电源,把30V可调稳压电源电位器沿逆时针旋到底, 电位器选元器件测试箱上的1K\2W的电位器;电流表选用控制屏上20mA~2000mA的直流档,直流电压表选用100V的电压档
按图2-2-12接线,按下控制屏上的“启动”按钮,然后缓慢调节电枢电源电压电压为50V,同时监视电压表的读数,调节0~30V直流可调稳压电源电位器,电压调到5V,监视电压表、电流表的读数,当电压表指示接近零(表示管子完全导通),停止调节,说明此时的管子是好的。
图2-2-12 晶闸管、场效应管接线图
5)单结晶体管的测试和好坏判别
首先将绝缘栅型场效应管(BT33F)接入主电路,主电路直流0~20V电源用屏上直流电枢电源,控制回路电源用0~30V直流可调稳压电源,把30V可调稳压电源电位器沿逆时针旋到底, 电位器选元器件测试箱上的1K\2W的电位器;电流表选用控制屏上20mA~2000mA的直流档,直流电压表选用100V的电压档
按图2-2-13接线,按下控制屏上的“启动”按钮,然后缓慢调节电枢电源,电压为20V,同时,监视电压表的读数,调节0~30V直流可调稳压电源电位器,电压从零开始调,同时监视电压表、电流表的读数,当电流表的值突然增加,电压表的值随着0~30V直流可调稳压电源电位器增加突然下降到某一电压值,继续增加电压值时,电流会一直增加,电压基本保持不变,(电压调节到20V时停止调节)。表示管子正常工作,说明此时的管子是好的。
图2-2-13 单结晶体管测试电路接线图
图2-2-14单结晶体管特性曲线
单结晶体管的特性曲线如图2-2-14所示当UBE1=0时,IE=IEO;当UEB1增大至UP(峰点电压时),PN结开始正向导通,此时IE=IP(峰点电流);UEB1再增大一点管子就进入负阻区,随着IE增大,UEB1减小,直至UEB1=UV(谷点电压),IE=IV(谷点电流),UV取决于PN结的导通电压和rb1 的饱和电阻rs;当IE再增大,管子进入饱和区。单结晶体管的三个区如图2-2-14所标注。
五、技能实训考核评分记录表(见表2-2-15)
表2-2-15
序号 | 考核内容 | 考核要求 | 配分 | 得分 |
1 | 技能实训的准备 | 对“任务预习”的预习 | 10 | |
2 | 实训元器件的测试 | 万用表使用正确、量程选择准确,测量速度快,测量一次成功 | 25 | |
3 | 实训设备的使用 | 正确操作控制屏电源、操作按钮,正确操作实训设备其它资源 | 25 | |
4 | 观察和记录实训过程的现象 | 记录现象正确 | 10 | |
5 | 分析各元器件的结构和测试方法 | 用万用表测量不同元器件的操作方法进行正确分析 | 30 | |
6 | 考评合计得分 | |||
7 | 否定项 | 发生重大责任事故、严重违反实训室纪律,得分为0分 |
六、技能实训报告
1、技能实训的项目名称
2、技能实训的任务目标
3、技能实训所用到的实训设备
4、绘制实训的测量图
5、记录实训的过程、现象
6、分析实训过程中万用表测量不同元器件的操作方法
7、小结、体会和建议
七、思考与练习
1、试分析用万用表测量二极管、三极管质量好坏的测试方法
2、试分析用万用表测试晶闸管质量好坏的测试方法?